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Fairchild Semiconductor - KSC1008GTA_Q - 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor - KSC1008GTAQ
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KSC1008GTA_Q|Fairchild Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
KSC1008GTA_Q
制造商型号： KSC1008GTA_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:两极晶体管 - BJT
RoHS:否
配置:Single
晶体管极性:NPN
集电极—基极电压 VCBO:80 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:8 V
最大直流电集电极电流:0.7 A
增益带宽产品fT:50 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:40
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-92
集电极连续电流:0.7 A
直流电流增益 hFE 最大值:400
最大功率耗散:0.8 W
最小工作温度:- 55 C
封装:Ammo

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