数据列表 | HUFA75307T3ST |
---|---|
产品相片 | SOT223-3L |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 13/Aug/2010 |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | UltraFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.6A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 90 毫欧 @ 2.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 20V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 250pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223-4 |
其它名称 | HUFA75307T3ST-ND HUFA75307T3STTR |