PDF查询| 数据列表 | HUF75639G3, P3, S3, S3S |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| PCN Design/Specification | Plating Material 20/Dec/2007 |
| 标准包装 | 150 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | UltraFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 56A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 130nC @ 20V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | HUF75639G3-ND HUF75639G3FS |
