数据列表 | HGTG5N120BND, HGTP5N120BND |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 400 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,5A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 21A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
功率 - 最大值 | 167W |
Switching Energy | 450µJ (开), 390µJ (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 53nC |
Td (on/off) A 25°C | 22ns/160ns |
Test Condition | 960V, 5A, 25 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 30ns |
封装/外壳 | TO-220-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |