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Fairchild Semiconductor - HGTG30N60B3D_Q - IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel - HGTG30N60B3DQ
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HGTG30N60B3D_Q
制造商型号： HGTG30N60B3D_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS:否
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.45 V
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流:60 A
栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA
功率耗散:208 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:TO-247-3
封装:Tube
集电极最大连续电流 Ic:60 A
最小工作温度:- 55 C
安装风格:Through Hole

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