数据列表 | HGT(P2,1S)2N120CN |
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标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | NPT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.4V @ 15V,2.6A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 13A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 20A |
功率 - 最大值 | 104W |
Switching Energy | 96µJ (开), 530µJ (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 30nC |
Td (on/off) A 25°C | 25ns/260ns |
Test Condition | 960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | I2PAK |