数据列表 | HGT1S20N60A4S9A |
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产品相片 | TO-263 |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 14/Mar/2011 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,20A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 70A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 280A |
功率 - 最大值 | 290W |
Switching Energy | 105µJ (开), 150µJ (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 182nC |
Td (on/off) A 25°C | 15ns/73ns |
Test Condition | 390V, 20A, 3 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | TO-263AB |