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Fairchild Semiconductor - HGT1S20N35G3VLS - IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB - HGT1S20N35G3VLS
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HGT1S20N35G3VLS|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
HGT1S20N35G3VLS
制造商型号: HGT1S20N35G3VLS
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 HGTP20N35G3VL, HGT1S20N35G3VL/S
产品相片 TO-263
PCN Obsolescence PDN#Q1080165 17/Jan/2008
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
包装  管件  
IGBT 类型-
电压 - 集射极击穿(最大值)380V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)2.8V @ 5V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20A
Current - Collector Pulsed (Icm)-
功率 - 最大值150W
Switching Energy-
输入类型逻辑
Gate Charge28.7nC
Td (on/off) A 25°C-
Test Condition-
反向恢复时间 (trr)-
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型表面贴装
供应商器件封装TO-263AB

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