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Fairchild Semiconductor - FSB649_Q - 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation - FSB649Q
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FSB649_Q
制造商型号： FSB649_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： 两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:否
配置:Single
晶体管极性:NPN
集电极—基极电压 VCBO:35 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
最大直流电集电极电流:3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:70 at 50 mA at 2 V
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SSOT-3
集电极连续电流:3 A
最大功率耗散:0.5 W
最小工作温度:- 55 C
封装:Reel

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