PDF查询| 数据列表 | FQD2N100, FQU2N100 I-PAK Tube Packing Data |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 70 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 9 欧姆 @ 800mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
