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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQU17P06 - ???效应管 MOSFET P I-PAK - FQU17P06
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FQU17P06|FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FQU17P06
制造商型号： FQU17P06
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： ???效应管 MOSFET P I-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P I-PAK
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 12A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS（上）: 134mohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -4V
  • 功耗, Pd: 79W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-251AA
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
  • SMD标号: FQU17P06
  • 功耗, Pd: 44W
  • 功耗, Pd: 79W
  • 外宽: 9.9mm
  • 外部深度: 10.08mm
  • 外部长度/高度: 4.5mm
  • 封装/箱盒: IPAK
  • 封装类型, 其它: I-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, t off: 60ns
  • 时间, t on: 100ns
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: -12A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
  • 电压, Vds 典型值: -60V
  • 电压, Vgs 最高: -25V
  • 电流, Idm 脉冲: 68A
产地： PH Philippines

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