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Fairchild Semiconductor - FQS4900TF_Q - MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET - FQS4900TFQ
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FQS4900TF_Q|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FQS4900TF_Q
制造商型号: FQS4900TF_Q
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
晶体管极性:N and P-Channel
汲极/源极击穿电压:+ 60 V / - 300 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:1.3 A, - 0.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):-
配置:Dual Dual Drain
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow
封装:Reel
下降时间:17 ns, 47 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1.7 S, 0.6 S
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:2 W
上升时间:21 ns, 25 ns
典型关闭延迟时间:11 ns, 35 ns

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