PDF查询| 数据列表 | FQN1N60C |
|---|---|
| 产品相片 | TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 带盒（TB） |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 300mA （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11.5 欧姆 @ 150mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 产品目录页面 | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FQN1N60CTA-ND FQN1N60CTATB |
