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Fairchild Semiconductor - FQD4N50T - MOSFET,N沟道,500V,2.6A,DPAK - FQD4N50T
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FQD4N50T
制造商型号: FQD4N50T
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,500V,2.6A,DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间20 ns
典型接通延迟时间12 ns
典型栅极电荷@Vgs10 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds350 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.1mm
封装类型DPAK
尺寸6.6 x 6.1 x 2.3mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2500 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压500 V
最大漏源电阻值2.7 Ω
最大连续漏极电流2.6 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.6mm
高度2.3mm

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