| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD3N60CTM-WS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| FQD3N60CTM-WS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| FQD3N60CTM-WS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD3N60CTM-WS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD3N60CTM_WS [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: FQD3N60CTM-WS) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQD3N60CTM_WS [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: FQD3N60CTM-WS) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD3N60CTM-WS [更多] | ON Semiconductor | N-Channel 600 V 3.4 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FQD3N60CTM_WS | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak 型号：FQD3N60CTM_WS 仓库库存编号：FQD3N60CTM_WSCT-ND 别名：FQD3N60CTM_WSCT <br> |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FQD3N60CTM_WS FAIRCHILD | FQD3N60C 系列 600 V 3.4 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252-3 | 查价格库存 查看详细 |
 | FQD3N60CTM-WS FAIRCHILD | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FQD3N60CTM_WS Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| FQD3N60CTM_WS FAIRCHILD | FQD3N60C 系列 600 V 3.4 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252-3 | 查价格库存 查看详细 |
 | FQD3N60CTM_WS Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | FQD3N60C, FQU3N60C |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| PCN Design/Specification | Passivation Material 14/May/2008 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.4A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.4 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 565pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
