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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQB55N10 - 场效应管 MOSFET N D2-PAK - FQB55N10
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FQB55N10|FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FQB55N10
制造商型号： FQB55N10
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N D2-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N D2-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 55A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 26mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 155W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
  • SMD标号: FQB55N10
  • 功耗(于1平方英寸PCB): 3.75W
  • 功耗, Pd: 155W
  • 功耗, Pd: 155W
  • 封装/箱盒: D2-PAK
  • 封装类型, 其它: D2-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 55A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds: 100V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 25V
  • 电流, Idm 脉冲: 220A
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地： KR Korea (Republic of)

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