FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQB50N06 - ???效应管 MOSFET N D2-PAK - FQB50N06
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FQB50N06
制造商型号:
FQB50N06
制造商:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述:
???效应管 MOSFET N D2-PAK
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N D2-PAK
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 50A
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 22mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 120W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: FQB50N06
功耗(于1平方英寸PCB): 3.75W
功耗, Pd: 120W
功耗, Pd: 120W
封装/箱盒: D2-PAK
封装类型, 其它: D2-PAK
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
漏极电流, Id 最大值: 50A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 60V
电压, Vds 典型值: 60V
电压, Vgs 最高: 25V
电流, Idm 脉冲: 200A
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地: KR Korea (Republic of)
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
FQB50N06
旗下站点
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型号: FQB50N06 品牌: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 备注: ???效应管 MOSFET N D2-PAK
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