典型关断延迟时间 | 160 ns | |
典型接通延迟时间 | 25 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 85 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 2240 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 9.65mm | |
封装类型 | D2PAK | |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3750 mW | |
最大栅源电压 | ±25 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 0.06 Ω | |
最大连续漏极电流 | 33.5 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |