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Fairchild Semiconductor - FQAF6N80 - MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF - FQAF6N80
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FQAF6N80
制造商型号: FQAF6N80
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 FQAF6N80
标准包装  360
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列QFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.95 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1500pF @ 25V
功率 - 最大值90W
安装类型通孔
封装/外壳SC-94
供应商器件封装TO-3PF

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FQAF6N80
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