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Fairchild Semiconductor - FQA8N100 - MOSFET,N沟道,1kV,8A,TO-3P(N) - FQA8N100
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FQA8N100
制造商型号: FQA8N100
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,1kV,8A,TO-3P(N)
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间122 ns
典型接通延迟时间50 ns
典型栅极电荷@Vgs53 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2475 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度5mm
封装类型TO-3PN
尺寸15.8 x 5 x 18.9mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散225000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压1000 V
最大漏源电阻值1.45 Ω
最大连续漏极电流8 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度15.8mm
高度18.9mm

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