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| FJN4308RTA [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Si Transistor Epitaxial RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FJN4308RTA | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 型号：FJN4308RTA 仓库库存编号：FJN4308RTA-ND | 无铅 |
PDF查询| 数据列表 | FJN4308 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
| PCN Design/Specification | Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 47k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 22k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 56 @ 5mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
