数据列表 | FGA40N65SMD |
---|---|
PCN Assembly/Origin | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | 场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.5V @ 15V,40A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
功率 - 最大值 | 349W |
Switching Energy | 1.08mJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 119nC |
Td (on/off) A 25°C | 12ns/92ns |
Test Condition | 400V, 40A, 6 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 42ns |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-3P |
其它名称 | FGA40N65SMD-ND |