PDF查询| 数据列表 | FDD8586, FDU8586 |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Dec/2009 |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 35A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.5 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2480pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 77W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
