| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDS6676AS [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FDS6676AS [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: FDS6676AS) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FDS6676AS [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: FDS6676AS) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FDS6676AS [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: FDS6676AS) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FDS6676A | Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，30V，14.5A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FDS6676A Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，30V，14.5A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | FDS6676AS FAIRCHILD | FDS6676AS 系列 30 V 6 mOhm 63 nC N沟道 PowerTrench? SyncFET | 查价格库存 查看详细 |
| FDS6676AS-BKN FSC | TRANS MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| FDS6676ASNL FAIRCHILD | 原装房间现货供应 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： FDS6676AS 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 671-0592 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| FDS6676A Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，30V，14.5A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | FDS6676AS FAIRCHILD | FDS6676AS 系列 30 V 6 mOhm 63 nC N沟道 PowerTrench? SyncFET | 查价格库存 查看详细 |
| FDS6676AS Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | FDS6676AS Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO 型号：FDS6676AS 仓库库存编号：FDS6676ASCT-ND 别名：FDS6676ASCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 43 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 45 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2510 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC N | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.006 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 14.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
