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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6575 - 场效应管 MOSFET P沟道 SO-8 - FDS6575
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FDS6575|FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
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FDS6575
制造商型号: FDS6575
制造商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述: 场效应管 MOSFET P沟道 SO-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 SO-8
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 8A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS(上): 13mohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -800mV
  • 功耗, Pd: 2.5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: FDS6575
  • 封装/箱盒: SOIC-8
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 10A
  • 漏极连续电流, Id @ 25°C: 10A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: -4.5V
  • 电压, Vds: 20V
  • 电压, Vds 典型值: -20V
  • 电压, Vgs 最高: -600mV
  • 电流, Idm 脉冲: 50A
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最低: -1.5V
产地: PH Philippines

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDS6575
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