PDF查询| 数据列表 | FDS6162N3 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC Exp Pad 21-0111 |
| PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Dec/2009 |
| PCN Design/Specification | Mold Compound 27/March/2008 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.5 毫欧 @ 21A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 73nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5521pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS6162N3_NL FDS6162N3_NLTR FDS6162N3_NLTR-ND FDS6162N3TR |
