| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FDR858P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
PDF查询| 数据列表 | FDR858P |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 19 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2010pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 其它名称 | FDR858P-ND FDR858PTR |
