PDF查询| 数据列表 | FDR842P |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 11A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 9 毫欧 @ 11A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 80nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5350pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 其它名称 | FDR842P-ND FDR842PTR |
