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Fairchild Semiconductor - FDP3651U - MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB - FDP3651U
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FDP3651U|Fairchild Semiconductor
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FDP3651U
制造商型号: FDP3651U
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 FDP3651U
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
标准包装  400
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)18 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)69nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5522pF @ 25V
功率 - 最大值255W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
产品目录页面1605 (CN2011-ZH PDF)

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