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Fairchild Semiconductor - FDP2670_Q - MOSFET 200V NCh PowerTrench - FDP2670Q
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FDP2670_Q|Fairchild Semiconductor
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FDP2670_Q
制造商型号： FDP2670_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET 200V NCh PowerTrench
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:130 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
下降时间:23 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :24 S
最小工作温度:- 65 C
功率耗散:93 W
上升时间:5 ns
典型关闭延迟时间:26 ns

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