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Fairchild Semiconductor - FDN359BN - MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT - FDN359BN
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FDN359BN|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDN359BN
制造商型号: FDN359BN
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 FDN359BN
产品相片 SOT-23-3
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)46 毫欧 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)650pF @ 15V
功率 - 最大值460mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装3-SSOT
其它名称FDN359BN-ND
FDN359BNFSTR

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDN359BN
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