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Fairchild Semiconductor - FDMS86200DC - MOSF N CH 150V 9.3A POWER 56 - FDMS86200DC
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FDMS86200DC|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDMS86200DC
制造商型号: FDMS86200DC
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSF N CH 150V 9.3A POWER 56
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 FDMS86200DC
产品相片 8-PQFN, Power56
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列Dual Cool™, PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9.3A (Ta), 28A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)17 毫欧 @ 9.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)42nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2955pF @ 75V
功率 - 最大值3.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装Power56

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