PDF查询| 典型关断延迟时间 | 11.9（晶体管 1）ns，17.4（晶体管 2）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.2（晶体管 1）ns，6.6（晶体管 2）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15.6 nC V @ 0 → 10（晶体管 2），7.2 nC V@0 → 10（晶体管 1） | |
| 典型输入电容值@Vds | 1050 pF @ 15 V（晶体管 2），457 pF @ 15 V（晶体管 1） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6mm | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 0.75mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.2（晶体管 1）W，2.5（晶体管 2）W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 15.1（晶体管 2）mΩ，30（晶体管 1）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 26（晶体管 1）A，42（晶体管 2）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 三漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 0.75mm |
