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Fairchild Semiconductor - FDMS3606A - MOSFET,双,N沟道,30V,13A/27A,Power 56 - FDMS3606A
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FDMS3606AS
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ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

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FDMS3606AS
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ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

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ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R (Alt: FDMS3606AS)

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FDMS3606AS
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 13A/27A 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS3606AS)

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FDMS3606AS
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ON Semiconductor

DUAL N-CHANNEL POWER TRENCH MO

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FDMS3606AS
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ON Semiconductor

MOSFET, NN CH, ASYMMETRIC, 30V, POWER56

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FDMS3606AS
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Fairchild Semiconductor Corporation  

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FDMS3606A Fairchild Semiconductor MOSFET,双,N沟道,30V,13A/27A,Power 56 查看库存、价格及货期
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Fairchild/ON Semiconductor - FDMS3606AS - MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56

型号:FDMS3606AS
仓库库存编号:FDMS3606ASCT-ND
别名:FDMS3606ASCT
无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FDMS3606AS
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FDMS3606AS
2083364

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V

(EN)
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无图FDMS3606A
Fairchild Semiconductor
MOSFET,双,N沟道,30V,13A/27A,Power 56
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FDMS3606AS|Fairchild SemiconductorFDMS3606AS
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56
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Fairchild Semiconductor
MOSFET,双,N沟道,30V,13A/27A,Power 56
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FDMS3606A
制造商型号: FDMS3606A
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,双,N沟道,30V,13A/27A,Power 56
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间20(晶体管 1)ns,36(晶体管 2)ns
典型接通延迟时间15(晶体管 2)ns,8.2(晶体管 1)ns
典型栅极电荷@Vgs21 nC V @ 0 → 10(晶体管 1),59 nC V@0 → 10(晶体管 2)
典型输入电容值@Vds1273 pF @ 15 V(晶体管 1),4129 pF @ 15 V(晶体管 2)
安装类型表面贴装
宽度6mm
封装类型Power 56
尺寸5 x 6 x 1.05mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2.2(晶体管 1)W,2.5(晶体管 2)W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值10.8(晶体管 1)mΩ,2.8(晶体管 2)mΩ
最大连续漏极电流148(晶体管 2)A,60(晶体管 1)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置三漏极
长度5mm
高度1.05mm

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