PDF查询| 典型关断延迟时间 | 10（晶体管 1）ns、7（晶体管 2）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.8 常闭 V @ 4.5（晶体管 2）、2.4 常闭 V @ 4.5（晶体管 1） | |
| 典型输入电容值@Vds | 190 pF @ 10V（晶体管 2）、205 pF @ 10V（晶体管 1） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3mm | |
| 封装类型 | Power 33 | |
| 尺寸 | 3 x 3 x 0.75mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.78（晶体管 2）W、1.92（晶体管 1）W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 100（晶体管 1）mΩ，150（晶体管 2）mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 0.75mm |
