PDF查询| 数据列表 | FDMC2674 |
|---|---|
| 产品相片 | FDMC2674 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| PCN Design/Specification | Mold Compound 17/March/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | UniFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 220V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1A （Ta）， 7A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 366 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1180pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-Power33（3x3） |
| 产品目录页面 | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FDMC2674TR |
