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Fairchild Semiconductor - FDG6332C - MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 - FDG6332C
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FDG6332C|Fairchild Semiconductor
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FDG6332C
制造商型号: FDG6332C
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 FDG6332C
产品相片 SOT-363 PKG
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
PCN Design/Specification Mold Compound 12/Dec/2007
Mold Compound 07/May/2008
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)700mA,600mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)300 毫欧 @ 700mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)113pF @ 10V
功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SC-70-6
产品目录页面1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名称FDG6332C-ND

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDG6332C
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