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Fairchild Semiconductor - FDG6316P_Q - MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V - FDG6316PQ
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FDG6316P_Q
制造商型号： FDG6316P_Q
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 12 V
闸/源击穿电压:+/- 8 V
漏极连续电流:- 0.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:270 mOhms
配置:Dual
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SC-70-6
封装:Reel
下降时间:13 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :2.5 S
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:0.3 W
上升时间:13 ns
典型关闭延迟时间:8 ns

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