数据列表 | FDFS2P106A |
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产品相片 | 8-SOIC |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
PCN Design/Specification | Mold Compound 12/Dec/2007 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 二极管(隔离式) |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 110 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 714pF @ 30V |
功率 - 最大值 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
产品目录页面 | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | FDFS2P106A_NL FDFS2P106A_NLTR FDFS2P106A_NLTR-ND FDFS2P106ATR |