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Fairchild Semiconductor - FDFMA3P029Z - MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2 - FDFMA3P029Z
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FDFMA3P029Z|Fairchild Semiconductor
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FDFMA3P029Z
制造商型号: FDFMA3P029Z
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 FDFMA3P029Z
产品相片 FDMAxxxxxZ
特色产品 FDFMA3P029Z PowerTrench? MOSFET
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.3A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)87 毫欧 @ 3.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)435pF @ 15V
功率 - 最大值700mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装MicroFET 2x2
其它名称FDFMA3P029ZTR

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