数据列表 | FDFMA2P853 |
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产品相片 | PowerTrench Series 6-WDFN |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 二极管(隔离式) |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 120 毫欧 @ 3A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 435pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 6-MicroFET(2x2) |
其它名称 | FDFMA2P853FSTR FDFMA2P853TR FDFMA2P853TR-ND |