型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FDFM2N111 库存编号:FDFM2N111 | onsemi | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin MLP EP T/R - Tape and Reel (Alt: FDFM2N111) | 0 1起订 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FDFM2N111 | Fairchild Semiconductor Corporation | | 2400 1起订 | 1+ 367+ 1833+ | ¥19.97 ¥7.99 ¥6.99 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FDFM2N111 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP 详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.7W(Ta) MicroFET 3x3mm 型号:FDFM2N111 仓库库存编号:FDFM2N111CT-ND 别名:FDFM2N111CT <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | FDFM2N111 |
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产品相片 | 6-MLP |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 二极管(隔离式) |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 4A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 273pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 800mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-MLP,Power33 |
供应商器件封装 | MicroFET 3x3mm |