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Fairchild Semiconductor - FDD6N25TM - MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK - FDD6N25TM
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FDD6N25TM|Fairchild Semiconductor
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FDD6N25TM
制造商型号: FDD6N25TM
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 FDD6N25, FDU6N25
产品相片 TO-263
PCN Assembly/Origin Wafer Fabrication 04/Feb/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列UniFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.1 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)250pF @ 25V
功率 - 最大值50W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
产品目录页面1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称FDD6N25TMTR

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