| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| FDD6512A | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 10.7A（Ta），36A（Tc） 3.8W（Ta），43W（Tc） D-PAK（TO-252AA） 型号：FDD6512A 仓库库存编号：FDD6512A-ND | 无铅 |
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 | FDD6512A Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | FDD6512A, FDU6512A |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10.7A （Ta）， 36A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 21 毫欧 @ 10.7A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1082pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
