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Fairchild Semiconductor - FDD306P - MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK - FDD306P
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FDD306P|Fairchild Semiconductor
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FDD306P
制造商型号: FDD306P
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 FDD306P
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)28 毫欧 @ 6.7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)21nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1290pF @ 6V
功率 - 最大值1.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252-3
其它名称FDD306P-ND
FDD306PTR

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: FDD306P
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