型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDD1600N10ALZ [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
FDD1600N10ALZD [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
FDD1600N10ALZD [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
FDD1600N10ALZD [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDD1600N10ALZD [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 100V, 6.8A, 160mOhm N-Channel BoostPak RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDD1600N10ALZD [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 5-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: FDD1600N10ALZD) RoHS: Compliant | 搜索 |
FDD1600N10ALZD [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 5-Pin TO-252 T/R (Alt: FDD1600N10ALZD) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FDD1600N10ALZD | Fairchild Semiconductor | BOOSTFET N CH 100V 6.8A TO252-5L | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L 详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252,(D-Pak) 型号:FDD1600N10ALZD 仓库库存编号:FDD1600N10ALZDCT-ND 别名:FDD1600N10ALZDCT <br> | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: FDD1600N10ALZD 品牌: Fairchild Semiconductor 库存编号: 864-8045 | 搜索 |
数据列表 | FDD1600N10ALZD |
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标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6.8A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 160 毫欧 @ 3.5A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.61nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 225pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 14.9W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD |
供应商器件封装 | TO-252 |