PDF查询| 数据列表 | FDC642P |
|---|---|
| 产品相片 | PowerTrench Series |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| PCN Design/Specification | FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007 Mold Compound 08/April/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 65 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 925pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC642P-ND FDC642PTR |
