PDF查询| 典型关断延迟时间 | 12（N 沟道）ns、14（P 沟道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5（N 沟道）ns、7（P 沟道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.85 nC V @ -4.5（P 沟道）、3.25 nC V @ 4.5（N 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 215 pF @ 10 V（P 沟道）、325 pF @ 10 V（N 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 封装类型 | SuperSOT | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.96 W | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最大漏源电压 | 20（N 沟道）V、-20（P 沟道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.13（N 沟道）Ω、0.27（P 沟道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | -1.9（P 沟道）A、2.7（N 沟道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双漏极 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm |
