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Fairchild Semiconductor - FDB33N25TM - MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK - FDB33N25TM
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FDB33N25TM|Fairchild Semiconductor
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FDB33N25TM
制造商型号: FDB33N25TM
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 FDB33N25/FDI33N25
产品相片 TO-263
PCN Assembly/Origin Wafer Fabrication 04/Feb/2013
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列UniFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)33A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)94 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2135pF @ 25V
功率 - 最大值235W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D²PAK
产品目录页面1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称FDB33N25TMTR

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