PDF查询| 数据列表 | FDB33N25/FDI33N25 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| PCN Assembly/Origin | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | UniFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 33A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2135pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 235W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 产品目录页面 | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FDB33N25TMTR |
