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FDB024N06 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 395W(Tc) D2PAK(TO-263AB) 型号:FDB024N06 仓库库存编号:FDB024N06CT-ND 别名:FDB024N06CT | 无铅 |
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数据列表 | FDB024N06 |
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产品相片 | TO-263 |
PCN Design/Specification | SOA curve 01/Jul/2013 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 120A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 2.4 毫欧 @ 75A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 226nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 14885pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 395W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
产品目录页面 | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | FDB024N06TR |